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研究發(fā)現(xiàn)新型半導(dǎo)體 或推動(dòng)低功耗電子設(shè)備發(fā)展

蓋世汽車 劉麗婷

蓋世汽車訊 據(jù)外媒報(bào)道,賓夕法尼亞州立大學(xué)(The Pennsylvania State University)和麻省理工學(xué)院(MIT)合作制造出一種新型半導(dǎo)體硒化錫(SnSe)。該半導(dǎo)體厚度僅為幾個(gè)原子,并以不尋常的方式與光相互作用。與當(dāng)前電子產(chǎn)品相比,這種新的半導(dǎo)體可降低計(jì)算和通信新技術(shù)所需的功耗。

研究發(fā)現(xiàn)新型半導(dǎo)體 或推動(dòng)低功耗電子設(shè)備發(fā)展

圖片來源:MIT

硒化錫是一種二元化合物,由錫和硒以1:1的比例組成。該新型半導(dǎo)體將有助于開發(fā)稱為“光子學(xué)”的新型電子器件。傳統(tǒng)電子學(xué)使用電子來存儲(chǔ)、操控和傳輸信息,而該電子器件使用的是光粒子或光子。該材料與光具有特殊的相互作用,使其在電子產(chǎn)品中具有巨大的應(yīng)用潛力。

來源:蓋世汽車

作者:劉麗婷

本文地址:http://www.idc61.net/news/jishu/180366

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