2025年可以說(shuō)是人形機(jī)器人的“破圈”之年，更是量產(chǎn)元年。

從春晚舞臺(tái)的驚艷亮相到工業(yè)車間的實(shí)際作業(yè)，從運(yùn)動(dòng)賽場(chǎng)的競(jìng)技比拼到家庭場(chǎng)景的服務(wù)嘗試，人形機(jī)器人正經(jīng)歷從 “炫技” 到 “實(shí)用” 的關(guān)鍵轉(zhuǎn)型，其技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展也同樣引人關(guān)注。

而人形機(jī)器人所展現(xiàn)出來(lái)的運(yùn)動(dòng)靈活性和能效表現(xiàn)，都有了質(zhì)的飛躍。而這一跨越的背后，不僅是人工智能算法的迭代，更是底層硬件技術(shù)的革新。

以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正在重塑機(jī)器人 “肌肉與神經(jīng)” 的底層架構(gòu)。

01.

GaN，何以帶來(lái)性能躍遷？

人形機(jī)器人的動(dòng)態(tài)特性依賴于全身40個(gè)以上的伺服關(guān)節(jié)系統(tǒng)，每個(gè)關(guān)節(jié)需要兼具驅(qū)動(dòng)、傳感、控制功能。

傳統(tǒng)硅基功率器件在機(jī)器人控制系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用，但其性能已逐漸接近物理極限。硅基器件在高頻開(kāi)關(guān)、能效、體積等方面存在明顯局限性，難以滿足人形機(jī)器人對(duì)高動(dòng)態(tài)響應(yīng)、低能耗、輕量化等需求。

例如，硅基器件在高頻工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)致能量浪費(fèi)和系統(tǒng)發(fā)熱；另外，較大的芯片面積也限制了機(jī)器人內(nèi)部空間的優(yōu)化。

與此同時(shí)，機(jī)器人的續(xù)航能力也成為商業(yè)化落地的關(guān)鍵制約因素。當(dāng)前主流產(chǎn)品在滿載工況下的續(xù)航普遍不足 4 小時(shí)，電池能量密度提升的放緩，使得通過(guò)功率器件優(yōu)化能效成為延長(zhǎng)續(xù)航的核心路徑。

具體來(lái)看，人形機(jī)器人對(duì)功率器件的需求可概括為「三高一小」，即高頻開(kāi)關(guān)能力、高功率密度、高效率轉(zhuǎn)換，以及小體積封裝。

那么，從材料特性出發(fā)，氮化鎵為何優(yōu)于硅基MOSFET？

與硅基器件相比，GaN 在物理結(jié)構(gòu)上具有寬禁帶、高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì)，這些特性轉(zhuǎn)化為實(shí)際應(yīng)用中的高頻、高效、高功率密度等表現(xiàn)。

第一，高頻性能的革命性突破。氮化鎵器件的核心優(yōu)勢(shì)在于其電子遷移率和擊穿電場(chǎng)遠(yuǎn)高于硅基材料。硅基MOSFET的典型工作頻率通常在幾十千赫茲（kHz）范圍內(nèi)，而氮化鎵器件可輕松實(shí)現(xiàn)數(shù)百千赫茲甚至兆赫茲（MHz）級(jí)別的高頻開(kāi)關(guān)。這一特性直接推動(dòng)了人形機(jī)器人伺服控制系統(tǒng)中PWM（脈寬調(diào)制）控制精度的提升。

人形機(jī)器人的核心目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)類人化的動(dòng)態(tài)控制，這需要對(duì)關(guān)節(jié)電機(jī)進(jìn)行毫秒級(jí)的精準(zhǔn)調(diào)節(jié)。傳統(tǒng)硅基MOSFET因寄生電容和電感較大，在高頻PWM控制下容易產(chǎn)生電流紋波，導(dǎo)致電機(jī)轉(zhuǎn)矩波動(dòng)。而氮化鎵器件的寄生參數(shù)極小，能夠顯著降低電流紋波，提升PWM控制分辨率。

例如，在特斯拉Optimus人形機(jī)器人的關(guān)節(jié)電機(jī)控制中，高頻PWM信號(hào)能夠?qū)崿F(xiàn)更細(xì)膩的電流調(diào)節(jié)，從而讓機(jī)器人的動(dòng)作更加平滑自然，甚至能夠完成類似人類手指抓取玻璃杯的精細(xì)操作。

第二，低導(dǎo)通損耗與高效能轉(zhuǎn)化。硅基MOSFET在高頻率開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生顯著的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)致系統(tǒng)效率下降和散熱壓力增加。而氮化鎵器件的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）比硅基器件低一個(gè)數(shù)量級(jí)，開(kāi)關(guān)損耗幾乎可以忽略不計(jì)。

人形機(jī)器人在實(shí)際應(yīng)用中需要應(yīng)對(duì)復(fù)雜環(huán)境，例如搬運(yùn)重物、跨越障礙等場(chǎng)景，這對(duì)關(guān)節(jié)電機(jī)的爆發(fā)功率提出了極高要求。硅基MOSFET因?qū)〒p耗大和熱限制，通常難以在短時(shí)間內(nèi)輸出高功率。而氮化鎵器件的低損耗特性使其能夠在高頻高功率狀態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行。

據(jù)意優(yōu)科技技術(shù)總監(jiān)李戰(zhàn)猛透露，氮化鎵驅(qū)動(dòng)器的轉(zhuǎn)換效率可達(dá)98.5%以上，而傳統(tǒng)硅基方案的效率通常在85%-95%之間。這意味著在相同面積下，氮化鎵可以獲得更高的功率輸出，滿足人形機(jī)器人高爆發(fā)力運(yùn)動(dòng)的需求。

第三，高功率密度與小型化潛力。氮化鎵能夠在較小的空間內(nèi)處理較大的電場(chǎng)，同時(shí)擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，這就使得基于氮化鎵的功率器件可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度輸出。

換句話說(shuō)，就是在相同體積下，氮化鎵器件能夠提供更大的功率，或者在提供相同功率時(shí)，氮化鎵器件的體積可以更小、重量更輕。例如，英諾賽科的100V氮化鎵芯片應(yīng)用于人形機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)時(shí)，成功將電源模塊的體積減少了30%。

對(duì)于人形機(jī)器人而言，這種小型化優(yōu)勢(shì)尤為重要。關(guān)節(jié)腔體通常直徑不足10厘米，傳統(tǒng)硅基器件的驅(qū)動(dòng)器、傳感器、減速器等模塊難以在有限空間內(nèi)集成。而氮化鎵通過(guò)緊湊封裝和集成化設(shè)計(jì)，讓其高功率密度特性與集成式驅(qū)動(dòng)器的特性相結(jié)合，進(jìn)一步減小尺寸。

第四，熱穩(wěn)定性與可靠性。氮化鎵材料的禁帶寬度遠(yuǎn)高于硅，使其在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。研究表明，氮化鎵器件在650°C以上的高溫中仍能正常工作，且其熱導(dǎo)率較高，能夠快速將熱量傳導(dǎo)至散熱系統(tǒng)。

這一特性對(duì)于人形機(jī)器人關(guān)節(jié)等高負(fù)載部件尤為重要，人形機(jī)器人在密集運(yùn)動(dòng)時(shí)，關(guān)節(jié)電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器會(huì)產(chǎn)生大量熱量，導(dǎo)致局部溫度驟升，而傳統(tǒng)硅基系統(tǒng)的散熱需求往往需要額外的冷卻結(jié)構(gòu)（如風(fēng)扇或散熱片），進(jìn)一步增加了體積和重量。氮化鎵器件因低損耗和高熱導(dǎo)率，能夠?qū)崃考性诳煽胤秶鷥?nèi)，從而減少對(duì)主動(dòng)散熱系統(tǒng)的依賴。

02.

GaN落地應(yīng)用，重構(gòu)機(jī)器人核心系統(tǒng)

GaN 技術(shù)落地應(yīng)用人形機(jī)器人并非單點(diǎn)突破，而是滲透到從動(dòng)力驅(qū)動(dòng)到感知交互的全系統(tǒng)架構(gòu)中。

在伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，GaN 提升了關(guān)節(jié)的運(yùn)動(dòng)精度與功率密度；在能源管理系統(tǒng)中，GaN 優(yōu)化了電池充放電效率與續(xù)航能力；在感知與通信系統(tǒng)中，GaN 增強(qiáng)了環(huán)境探測(cè)與數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。這種全鏈路的技術(shù)升級(jí)，正在推動(dòng)人形機(jī)器人性能邊界的持續(xù)突破。

■伺服驅(qū)動(dòng)

作為機(jī)器人的 “動(dòng)力核心”，伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)負(fù)責(zé)將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，驅(qū)動(dòng)關(guān)節(jié)完成各種動(dòng)作。

GaN 器件通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)與低損耗特性，為伺服系統(tǒng)帶來(lái)了精度、功率與效率的全方位提升，成為機(jī)器人“數(shù)字肌肉”的核心支撐。

▍圖源：英諾賽科

當(dāng)前主流人形機(jī)器人單機(jī)約含40個(gè)關(guān)節(jié)電機(jī)，其GaN器件用量因關(guān)節(jié)大小而異。小關(guān)節(jié)（如手指）用量較少（3-6顆），中等關(guān)節(jié)（如肘）用量中等（約12顆），大關(guān)節(jié)用量最多（24顆）。這使得單臺(tái)機(jī)器人的基礎(chǔ)GaN用量達(dá)到約300顆。

當(dāng)引入如五指靈巧手、腰部扭轉(zhuǎn)等更復(fù)雜的自由度后，單機(jī)GaN用量將顯著攀升至1000顆以上。

當(dāng)前主流人形機(jī)器人搭載約40個(gè)關(guān)節(jié)電機(jī)，按照關(guān)節(jié)尺寸分級(jí)配置 GaN 器件：手指等小關(guān)節(jié)需3至6顆，肘關(guān)節(jié)等中等關(guān)節(jié)需約12顆，而最大的關(guān)節(jié)則需要24顆。據(jù)此計(jì)算，單臺(tái)機(jī)器人的GaN基礎(chǔ)用量約300顆。

而隨著五指靈巧手、腰部扭轉(zhuǎn)關(guān)節(jié)等新自由度的加入，機(jī)器人單機(jī)GaN用量將突破1000顆。

在精密控制場(chǎng)景中，GaN 的優(yōu)勢(shì)集中體現(xiàn)在靈巧手與多軸協(xié)同控制上。

作為人形機(jī)器人領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，上海智元率先將集成了英諾賽科GaN器件的關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至機(jī)器人，通過(guò)GaN技術(shù)解決了傳統(tǒng)硅基器件在功率密度與控制精度上的瓶頸。

據(jù)介紹，目前，智元人形機(jī)器人已在脖子、手肘等關(guān)鍵活動(dòng)關(guān)節(jié)的3個(gè)電機(jī)中應(yīng)用GaN器件，每個(gè)電機(jī)集成3顆GaN芯片，GaN器件已裝配至數(shù)百臺(tái)人形機(jī)器人。

此外，在多軸協(xié)同控制中，GaN 的同步響應(yīng)能力至關(guān)重要。依托GaN技術(shù)高頻開(kāi)關(guān)（MHz級(jí)）、超低死區(qū)時(shí)間（ns級(jí)）以及高集成度等優(yōu)勢(shì)，解決了多軸協(xié)同中的延遲累積、通信抖動(dòng)和熱管理難題。

中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI0--PRO--B）。該模組內(nèi)置中科無(wú)線半導(dǎo)體AI ASIC具身機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族關(guān)節(jié)系列“GaN陣列驅(qū)動(dòng)器芯片”，具有250Hz高頻神經(jīng)反射與5ms全鏈路時(shí)延，這對(duì)于人形機(jī)器人實(shí)現(xiàn)快速、精準(zhǔn)的動(dòng)作控制至關(guān)重要。

▍圖源：中科阿爾法

高頻神經(jīng)反射能夠確保機(jī)器人在復(fù)雜環(huán)境中迅速做出反應(yīng)，而低時(shí)延則保證了動(dòng)作的流暢性和連貫性。此外，該技術(shù)通過(guò)物理3D建模與多模態(tài)傳感器數(shù)據(jù)融合輸出的陣列控制信號(hào)在5ms的時(shí)間同時(shí)控制機(jī)器人數(shù)十個(gè)關(guān)節(jié)，不但保持了機(jī)器人在高速運(yùn)動(dòng)過(guò)程中的穩(wěn)定性，還大幅縮短了機(jī)器人的研發(fā)訓(xùn)練時(shí)間。

在大功率關(guān)節(jié)應(yīng)用中，GaN 的功率密度優(yōu)勢(shì)充分顯現(xiàn)。

髖關(guān)節(jié)作為機(jī)器人的核心承重關(guān)節(jié)，需要在有限空間內(nèi)輸出高功率。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比，GaN整個(gè)功率器件的芯片面積減小了50%以上。GaN器件在人形機(jī)器人的髖關(guān)節(jié)模塊中的應(yīng)用，在有限的直徑十幾厘米的關(guān)節(jié)腔內(nèi)，能搭載20余顆GaN器件，而傳統(tǒng)硅基MOSFET根本塞不進(jìn)這么小的空間。

另外，據(jù)德州儀器透露，驅(qū)動(dòng)機(jī)器人手指的電機(jī)可能只需要數(shù)安培電流，而驅(qū)動(dòng)髖關(guān)節(jié)或腿的電機(jī)可能需要 100 安培或更高的電流。

■能源管理

以特斯拉Optimus為例，其配備的52V、2.3kWh電池，僅能支持2至4小時(shí)運(yùn)動(dòng)，而人形機(jī)器人高強(qiáng)度、高頻次動(dòng)作需要更持久的能量供給。

人形機(jī)器人的續(xù)航能力直接決定其商業(yè)化價(jià)值，而能源管理系統(tǒng)是提升續(xù)航的核心環(huán)節(jié)。GaN 器件通過(guò)優(yōu)化充放電效率、減小電源體積、實(shí)現(xiàn)能量回收等方式，成為破解續(xù)航難題的關(guān)鍵技術(shù)。

在電池快充領(lǐng)域，GaN 的高頻高效特性推動(dòng)了超快充技術(shù)的落地。

中科無(wú)線半導(dǎo)體發(fā)布的氮化鎵（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007與CT-1901）四個(gè)型號(hào)，通過(guò)“氮化鎵ASIC芯片+GaN功率管”集成的差異設(shè)計(jì)，是為機(jī)器人定制化的快充專用芯片。

▍圖源：中科無(wú)線半導(dǎo)體

該系列采用氮化鎵合封，通過(guò)ASIC芯片+GaN HEMT鍵合，高頻高效，模塊體積縮小30%，低內(nèi)阻特性降低導(dǎo)通損耗，采用LLC設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)效率達(dá)98%以上，充電發(fā)熱減少25%，適配機(jī)器人對(duì)空間緊湊性與低發(fā)熱的雙重要求。

InnoGaN機(jī)器人240W快充解決方案采用All GaN BTPPFC+LLC技術(shù)，具有高效率、小體積和高功率密度的優(yōu)勢(shì)。該方案在提升效率的同時(shí)，也保障了工作的連續(xù)性，為機(jī)器人快充領(lǐng)域帶來(lái)新的技術(shù)突破。

▍圖源：英諾賽科

此外，分布式電源架構(gòu)的應(yīng)用則提升了能源管理的靈活性。英諾賽科還提供了高性能氮化鎵機(jī)器人高性能DC-DC供電方案，采用GaN多相降壓技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更高效率與更小占板面積，助力機(jī)器人供電性能提升。

針對(duì)機(jī)器人BMS，英諾賽科提供了VGaN的應(yīng)用方案，對(duì)比傳統(tǒng)Si MOS方案，GaN器件在系統(tǒng)單板體積方面取得顯著突破。元器件數(shù)量得以大幅削減達(dá)50%。同時(shí)，系統(tǒng)單板體積減少33%。此外，GaN方案的溫升較傳統(tǒng)方案降低13.1℃，在無(wú)散熱器的條件下，實(shí)現(xiàn)100A輸出。

▍圖源：英諾賽科

除此之外，能量回收系統(tǒng)是提升續(xù)航的另一重要路徑。機(jī)器人在行走、制動(dòng)、下坡等場(chǎng)景中會(huì)產(chǎn)生大量制動(dòng)能量，傳統(tǒng)硅基方案因反向恢復(fù)損耗大，能量回收效率通常低于 75%。而GaN 器件的零反向恢復(fù)特性，使能量回收效率提升至 92% 以上。

■感知與通信

人形機(jī)器人的環(huán)境交互能力依賴于感知與通信系統(tǒng)的性能，而 GaN 器件在高頻信號(hào)處理、抗干擾傳輸?shù)确矫娴膬?yōu)勢(shì)，正在強(qiáng)化機(jī)器人的“神經(jīng)末梢”功能，使其更精準(zhǔn)地感知環(huán)境、更可靠地傳輸數(shù)據(jù)。

在新能源汽車中，GaN就在激光雷達(dá)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力，成為自動(dòng)駕駛技術(shù)的關(guān)鍵組成部分。GaN 在新能源汽車激光雷達(dá)中的技術(shù)積累，為人形機(jī)器人提供了成熟的移植路徑。

激光雷達(dá)作為機(jī)器人的“眼睛”，需要高功率、高頻的激光驅(qū)動(dòng)信號(hào)。GaN FET 的 2MHz 開(kāi)關(guān)速度可驅(qū)動(dòng) 1550nm 激光二極管實(shí)現(xiàn) 200m 以上的探測(cè)距離，較硅基方案提升 50%；同時(shí)，其低開(kāi)關(guān)損耗特性使激光雷達(dá)的平均功耗降低 30%，解決了傳統(tǒng)方案的發(fā)熱問(wèn)題。

另外，機(jī)器人的 IMU（慣性測(cè)量單元）、扭矩傳感器等需要高精度的信號(hào)調(diào)理電路，而 GaN 器件的低噪聲特性減少了信號(hào)干擾。集成 GaN 的信號(hào)調(diào)理模塊可將 IMU 數(shù)據(jù)采集延遲壓縮，為動(dòng)態(tài)平衡控制提供了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)支撐。

不僅如此，在無(wú)線通信領(lǐng)域，GaN 射頻器件增強(qiáng)了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃耘c距離。同時(shí)，其零反向恢復(fù)特性將 EMI（電磁干擾）噪聲降低 20dB，減少了對(duì)其他傳感器的干擾。

03.

寫在最后

氮化鎵器件的出現(xiàn)，標(biāo)志著人形機(jī)器人從“功能實(shí)現(xiàn)”邁向“性能優(yōu)化”的新階段。其高頻低損、小型化、高功率密度等特性，不僅解決了傳統(tǒng)硅基MOSFET在關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、電源管理等環(huán)節(jié)的瓶頸，還為人形機(jī)器人的智能化、輕量化和實(shí)用化提供了全新可能。

盡管氮化鎵器件目前的成本仍高于硅基MOSFET，但隨著8英寸晶圓量產(chǎn)、良率提升和規(guī)模效應(yīng)的放大，其成本有望持續(xù)下探。此外，氮化鎵的封裝技術(shù)和驅(qū)動(dòng)IC的優(yōu)化，將進(jìn)一步降低設(shè)計(jì)復(fù)雜度。

以英諾賽科和英飛凌為代表的IDM企業(yè)，力求在效率與成本上獲得先發(fā)優(yōu)勢(shì)。

英諾賽科擁有全球最大規(guī)模的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地（蘇州、珠海）。截至2024年末，英諾賽科晶圓產(chǎn)能達(dá)1.3萬(wàn)片/月，未來(lái)計(jì)劃將產(chǎn)能擴(kuò)充至2萬(wàn)片晶圓/月，產(chǎn)品設(shè)計(jì)及性能處于國(guó)際先進(jìn)水平。

英飛凌更是推出了其12英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。相較于傳統(tǒng)8英寸晶圓，12英寸氮化鎵晶圓可在單位面積上產(chǎn)出更多的芯片，這不僅提升了生產(chǎn)效率，還顯著降低了單位成本。

今年7月消息，英飛凌宣布其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展GaN生產(chǎn)已步入正軌，首批樣品預(yù)計(jì)將于2025年第四季度交付客戶。

在機(jī)器人領(lǐng)域，英飛凌致力于提供全面的解決方案，涵蓋從關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)、智能傳感、邊緣計(jì)算到安全互聯(lián)等各個(gè)環(huán)節(jié)。目前，英飛凌已與超過(guò)20家機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈公司達(dá)成合作，其創(chuàng)新的氮化鎵關(guān)節(jié)方案能有效減輕機(jī)器人重量、延長(zhǎng)電池續(xù)航；為GPU供電的方案也可應(yīng)用于機(jī)器人，顯著提升機(jī)器人性能與能效。

此外，芯聯(lián)集成也將AI列為公司四大戰(zhàn)略市場(chǎng)之一。目前，芯聯(lián)集成已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的包括機(jī)器人靈巧手的動(dòng)作驅(qū)動(dòng)芯片、高級(jí)輔助駕駛ADAS里面的激光雷達(dá)核心芯片、慣性導(dǎo)航芯片、壓力傳感器芯片等，且已收到靈巧手的相關(guān)訂單。

合作方面，芯聯(lián)集成還與具身智能機(jī)器人企業(yè)魔法原子有相關(guān)合作，雙方合作探索人形機(jī)器人核心零部件供應(yīng)鏈，尤其高集成電驅(qū)控芯片的相關(guān)開(kāi)發(fā)，進(jìn)一步優(yōu)化量產(chǎn)工藝。

以納微半導(dǎo)體為代表的Fabless企業(yè)，致力于強(qiáng)化供應(yīng)鏈，推動(dòng)創(chuàng)新、降本增效。

作為全球 GaN功率 IC 龍頭，納微半導(dǎo)體此前主要與臺(tái)積電合作，借助其 6 英寸產(chǎn)線進(jìn)行氮化鎵芯片的生產(chǎn)。如今，臺(tái)積電決定于2027年前逐步退出GaN晶圓代工業(yè)務(wù)。今年7月消息，納微半導(dǎo)體宣布已與力積電建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，正式啟動(dòng)并持續(xù)推進(jìn)8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。力積電將為納微半導(dǎo)體生產(chǎn)100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合。

隨著技術(shù)成本的下降和產(chǎn)業(yè)鏈的成熟，GaN有望成為人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)的“核心引擎”，推動(dòng)這一領(lǐng)域從實(shí)驗(yàn)室走向工廠、家庭等多維應(yīng)用場(chǎng)景。這場(chǎng)由材料創(chuàng)新引發(fā)的變革，正在重新定義機(jī)器人的能力邊界。

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