蓋世汽車訊 6月7日，推動節(jié)能創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）宣布推出一對1200 V全碳化硅（SiC）MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其產(chǎn)品系列，從而適應(yīng)充滿挑戰(zhàn)的電動汽車（EV）市場。

隨著電動汽車銷量持續(xù)增長，基礎(chǔ)設(shè)施需要不斷完善以滿足駕駛員需求，如提供快速充電站網(wǎng)絡(luò)，從而使汽車可以快速完成行程，且不會有“里程焦慮”。隨著這種需求不斷發(fā)展，對于充電功率超過350 kW，效率超過95%的要求也成為“常態(tài)”。由于部署充電樁的環(huán)境和地點多樣，設(shè)計人員面臨著多種挑戰(zhàn)，包括緊湊型、穩(wěn)健性和增強的可靠性。

（圖片來源：安森美半導(dǎo)體）

全新1200V M1全碳化硅MOSFET 2-PACK模塊基于平面技術(shù)打造，適用的驅(qū)動電壓為18-20 V，且易于使用柵極負電壓進行驅(qū)動。與溝槽型MOSFET相比，較大的裸芯片可降低熱阻，從而在相同工作溫度下降低裸芯片溫度。

NXH010P120MNF1配置為2-PACK半橋架構(gòu)，是采用F1封裝的10 mohm器件，而NXH006P120MNF2是采用F2封裝的6 mohm器件。這些封裝采用壓接式引腳，非常適合工業(yè)應(yīng)用，此外還采用嵌入式負溫度系數(shù)（NTC）熱敏電阻，有助于溫度監(jiān)控。

作為安森美半導(dǎo)體電動汽車充電生態(tài)系統(tǒng)的一部分，全新碳化硅MOSFET模塊旨在與驅(qū)動器解決方案（如NCD5700x器件）一起使用。最近推出的NCD57252雙通道隔離式IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供5 kV的電流隔離，可配置為雙下橋、雙上橋或半橋工作。

NCD57252采用小型SOIC-16寬體封裝，接受邏輯電平輸入（3.3 V、5 V和15 V）。由于典型傳播延遲為60ns，該高電流器件（在米勒平臺電壓下，源電流為4.0 A/灌電流為6.0 A）適合高速工作。

安森美半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET與全新模塊和柵極驅(qū)動器形成互補。與類似的硅器件相比，該碳化硅MOSFE可提供卓越的開關(guān)性能和增強的散熱性能，從而以提高效率和功率密度、改善電磁干擾（EMI）、并減小系統(tǒng)尺寸和減少重量。

最近發(fā)布的650 V碳化硅MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計，結(jié)合先進的薄晶圓技術(shù)，可為（RDS(on)*area）提供一流的品質(zhì)因數(shù)（FoM）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC等系列器件可為D2PAK7L / TO247封裝的MOSFET提供市場上最低的RDS(on)。

1200 V和900 V N通道碳化硅MOSFET芯片尺寸較小，可降低器件電容和柵極電荷（Qg –低至220 nC），從而降低電動車充電樁所需高頻工作的開關(guān)損耗。

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