蓋世汽車訊 4月6日，韓國(guó)純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）宣布其首款采用二代0.13微米嵌入式閃存工藝的汽車半導(dǎo)體已完成開(kāi)發(fā)，并將于今年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)。

5年多來(lái)，啟方半導(dǎo)體憑借第1代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)，不斷推動(dòng)各類消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn)品，如MCU（微處理器）、觸控（Touch）和自動(dòng)對(duì)焦（Auto Focus）的量產(chǎn)。該全新第二代0.13微米嵌入式閃存工藝可應(yīng)用于汽車零部件，并滿足AEC-Q100一級(jí)可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。基于其深厚的專業(yè)積累，以及獲得專利的側(cè)壁選擇性晶體管單元（SSTC）結(jié)構(gòu)的強(qiáng)大特性，啟方半導(dǎo)體將糾錯(cuò)碼（ECC，Error Correcting Code）內(nèi)存添加到嵌入式閃存IP，成功開(kāi)發(fā)出一種新的嵌入式閃存技術(shù)，滿足所有AEC-Q100一級(jí)可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。不僅如此，該設(shè)計(jì)改進(jìn)還提高了此項(xiàng)技術(shù)的閃存可靠性，適用于所有汽車應(yīng)用。

（圖片來(lái)源：?jiǎn)⒎桨雽?dǎo)體）

啟方半導(dǎo)體的一家韓國(guó)客戶率先將此項(xiàng)新工藝應(yīng)用于交通收費(fèi)應(yīng)答器的MCU產(chǎn)品中。啟方半導(dǎo)體的128Kb eFlash I P已嵌入至完成產(chǎn)品級(jí)測(cè)試的產(chǎn)品，并將于今年展開(kāi)全面量產(chǎn)。這是第一款采用啟方半導(dǎo)體嵌入式閃存工藝的汽車應(yīng)用產(chǎn)品。該公司希望該產(chǎn)品的成功開(kāi)發(fā)將有助于拓展此項(xiàng)技術(shù)的應(yīng)用范圍，未來(lái)可應(yīng)用于觸控IC、無(wú)線充電IC和其他各種汽車產(chǎn)品。

與第一代相比，第二代技術(shù)可靠性更高，成本競(jìng)爭(zhēng)力也更強(qiáng)，預(yù)計(jì)將被廣泛應(yīng)用于包括MCU、觸控和自動(dòng)對(duì)焦在內(nèi)的各種消費(fèi)類應(yīng)用。此外，它與BCD（Bipolar-CMOS-DMOS，雙極型-互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體-雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝集成后，非常適合各種電源產(chǎn)品，例如USB Type-C PDs、電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC或無(wú)線充電IC。第二代技術(shù)還有望應(yīng)用于具有超低泄漏工藝選項(xiàng)的低功耗IoT（物聯(lián)網(wǎng)）產(chǎn)品中。

繼第一代和第二代0.13微米嵌入式閃存工藝后，啟方半導(dǎo)體目前正在開(kāi)發(fā)0.11微米嵌入式閃存工藝。為了滿足不斷增長(zhǎng)的客戶對(duì)高存儲(chǔ)密度的需求，該公司計(jì)劃大幅縮小閃存單元的尺寸，打造出存儲(chǔ)密度高達(dá)4Mbits的閃存IP。

啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Tae Jong Lee博士表示：“我們很高興可以完成首款采用第二代0.13微米嵌入式閃存技術(shù)的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并開(kāi)始投入量產(chǎn)。我們將充分利用積累的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供高可靠且具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的代工服務(wù)，并繼續(xù)增加汽車半導(dǎo)體在我們產(chǎn)品組合中的比例?！?/p>

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