近日，長(zhǎng)城汽車宣布其聯(lián)合開發(fā)的RISC-V車規(guī)級(jí)MCU芯片——紫荊M100已完成研發(fā)并成功點(diǎn)亮。這一里程碑式的成就標(biāo)志著長(zhǎng)城汽車在自主技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。作為國(guó)內(nèi)首款基于RISC-V架構(gòu)的車規(guī)級(jí)芯片，紫荊M100不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的空白，也為長(zhǎng)城汽車未來(lái)的智能化戰(zhàn)略奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

長(zhǎng)城汽車董事長(zhǎng)魏建軍表示：“紫荊M100芯片不僅是國(guó)內(nèi)第一個(gè)基于‘RISC-V’架構(gòu)研發(fā)的車規(guī)級(jí)芯片，也是長(zhǎng)城汽車培育的首顆技術(shù)芯片。它依托開源架構(gòu)，既能避免被歐美技術(shù)限制，又能保證架構(gòu)拓展的可能性。”這表明，長(zhǎng)城汽車正通過(guò)自主創(chuàng)新打破國(guó)際技術(shù)壁壘，為自身乃至整個(gè)中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展開辟新路徑。

據(jù)了解，紫荊M100在設(shè)計(jì)上采用了模塊化理念，內(nèi)核可重構(gòu)，而4級(jí)流水線設(shè)計(jì)則使其具備更快的處理速度和更少的耗時(shí)，同時(shí)便于未來(lái)的升級(jí)擴(kuò)展。不僅如此，紫荊M100還滿足功能安全ASIL-B等級(jí)要求，支持國(guó)密，并符合ISO21434網(wǎng)絡(luò)信息安全標(biāo)準(zhǔn)。這些特性使得紫荊M100不僅在技術(shù)上領(lǐng)先，而且在安全性方面也達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

近年來(lái)，隨著智能電動(dòng)汽車的快速發(fā)展，對(duì)車規(guī)級(jí)芯片的需求持續(xù)提升。長(zhǎng)城汽車對(duì)此早有布局，早在2021年10月，便組建了專業(yè)團(tuán)隊(duì)致力于功率半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)，并于2022年11月正式成立了無(wú)錫芯動(dòng)半導(dǎo)體科技有限公司，專注于Si IGBT和SiC MOS的研發(fā)與創(chuàng)新。2023年11月，由芯動(dòng)半導(dǎo)體自主研發(fā)的GFM平臺(tái) 750V/820A IGBT功率模塊順利裝車，首次實(shí)現(xiàn)在新能源汽車主驅(qū)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。此外，芯動(dòng)半導(dǎo)體還先后與博世汽車電子、意法半導(dǎo)體等國(guó)際知名企業(yè)簽署了合作協(xié)議，進(jìn)一步推動(dòng)了其SiC業(yè)務(wù)的發(fā)展。

長(zhǎng)城汽車指出，此次點(diǎn)亮的紫荊M100不僅是“軟硬一體”智能化戰(zhàn)略的重要成果，還將為未來(lái)智能駕駛、智能座艙等創(chuàng)新應(yīng)用構(gòu)建重要基石。這一突破不僅彰顯了長(zhǎng)城汽車在技術(shù)創(chuàng)新方面的實(shí)力，也為我國(guó)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

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