中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地今天在湖南株洲奠基，標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項目正式啟動。

　　IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片設(shè)計、制造以及IGBT模塊封裝屬于電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、新能源、汽車電子、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐，被業(yè)界譽為功率變流裝置的”CPU”、綠色經(jīng)濟(jì)的”核芯”，目前我國IGBT芯品主要依賴進(jìn)口。中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地的建成，將改變我國在這一領(lǐng)域受制于人的局面，意味著中國南車將具有IGBT芯片設(shè)計―芯片制造―模塊封裝―系統(tǒng)應(yīng)用完整的產(chǎn)業(yè)鏈。

　　建成后的中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地集IGBT產(chǎn)品設(shè)計、芯片制造、模塊封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)、產(chǎn)品制造于一體，其自動化、專業(yè)化和規(guī)?；潭榷紝⑻幱趪鴥?nèi)領(lǐng)先水平。據(jù)悉，該項目由中國南車株洲所具體實施，項目總投資14億元，預(yù)計2013年正式投產(chǎn)。屆時，該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產(chǎn)值超20億元。

　　該基地除建設(shè)一條國際領(lǐng)先的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線外，還將建設(shè)9條滿足不同行業(yè)用的IGBT模塊生產(chǎn)線。產(chǎn)品電壓等級從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動汽車、風(fēng)力發(fā)電、太陽能發(fā)電、智能電網(wǎng)、高壓變頻、工業(yè)傳動等多個行業(yè)需求，成為我國首個完全依靠自主能力建設(shè)、設(shè)計規(guī)模最大、技術(shù)實力最強(qiáng)、產(chǎn)品型譜最全的大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地。

　　據(jù)了解，軌道交通、新能源、電動汽車等綠色經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)在未來10年甚至更長的時間里將保持每年20%―30%的高速增長。作為綠色經(jīng)濟(jì)的功率”核芯”，IGBT市場前景十分光明。

　　( 編輯/邵陽 )

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